国星光电车芯片的生产工艺是怎样的？

国星光电的车用LED芯片生产工艺主要包括以下几个步骤：

1. 材料准备：首先，国星光电会选用高质量的LED外延材料，这是制造LED芯片的基础。

2. 外延生长：通过MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备，将外延材料生长在衬底上，形成具有特定能级的发光层。这一步骤决定了芯片的光电性能。

3. 芯片切割：将生长好的外延片进行切割，得到单晶LED芯片。国星光电可能会采用先进的切割技术，如激光切割，以确保芯片尺寸的精确性和表面质量。

4. 芯片测试：切割后的芯片会进行电学性能测试，以确保它们满足性能要求。

5. 芯片封装：对于车用LED芯片，国星光电可能会采用倒装芯片技术，将芯片倒装在基板上，并采用银浆、焊料等材料形成金属化层，以提高散热性能和可靠性。

6. 可靠性测试：封装后的芯片会经过高温大电流老化、冷热冲击等严苛的可靠性测试，确保芯片能够在车用环境下的长期稳定工作。

7. 产品检验：通过一系列的检验，包括外观检查、功能测试等，确保产品符合质量标准。

8. 产品出货：最终合格的产品将进行包装，准备出货。

在A8系列新品的生产中，国星光电特别强调了以下几个方面：

• 导电层设计：通过独特且稳定的导电层设计，优化芯片版图设计结构和电流注入方式，提升芯片电流扩展均匀性。

• 工艺升级：通过升级Mirror及焊料层等工艺，改善金属膜层的包覆性和焊料层的可焊性，显著提升芯片稳定性。

• 高温大电流老化测试：产品经过1000小时以上的高温大电流老化、300次冷热冲击等严格测试，以满足车用级芯片的严苛使用环境。

• 定制化服务：根据客户需求提供定制化的服务方案，从LED芯片到应用模组及显示模块，快速响应客户需求。

国星光电的车用LED芯片生产工艺体现了其对于产品质量和可靠性的高度重视，以满足汽车照明领域的高标准要求。